Semiconductor လေဆာများကို နားလည်ခြင်း — အခြေခံမူများ၊ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသုံးချမှုများ

1. ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသမိုင်း

Semiconductor လေဆာများကို 1962 ခုနှစ်တွင် တီထွင်ခဲ့ပြီး 1970 ခုနှစ်တွင် double heterostructure ဖြင့် အဆက်မပြတ် လှိုင်းလည်ပတ်မှုကို အောင်မြင်ခဲ့ပြီး optical communication အတွက် core light source ဖြစ်လာခဲ့သည်။ InGaAsP/InP စနစ်သည် 1300/1550 nm low-loss communication band ကို ထောက်ပံ့ပေးပြီး MOCVD သည် ပင်မထုတ်လုပ်ရေးနည်းပညာဖြစ်လာသည်။

2. အခြေခံကျကျ

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလေဆာအမြတ်အလတ်စားနှင့် Fabry-Perot ပဲ့တင်ထပ်သံတို့ ပါဝင်သည်။ လူဦးရေပြောင်းပြန်လှန်ခြင်းကို သယ်ဆောင်ဆေးထိုးခြင်းဖြင့် သိရှိနိုင်ပြီး လေဆာကို လှုံ့ဆော်ထုတ်လွှတ်မှုဖြင့် ထုတ်ပေးပါသည်။ အလျားလိုက်မုဒ်အကွာအဝေးကို အပေါက်အလျားဖြင့် ဆုံးဖြတ်ပြီး မုဒ်လော့ခ်ချခြင်းသည် အရှည်လိုက်မုဒ်များစွာ၏ အဆင့်ထပ်တူပြုမှု လိုအပ်သည်

ကျယ်ပြန့်သော ဧရိယာလေဆာ၏ ဇယားကွက်

InGaAsP/InP ပစ္စည်းစနစ်ကို အသုံးပြု၍ လေဆာဒီဇိုင်းများစွာ။

3. ပစ္စည်းများ

InGaAsP/InP ရုပ်ထွက်စနစ်အား 1300–1600 nm လွှမ်းခြုံထားသည့် ဆက်သွယ်ရေးကြိုးအတွက် လက်ခံထားသည်။ MOCVD epitaxial ကြီးထွားမှုသည် စီးပွားဖြစ်လေဆာများအတွက် အဓိကထုတ်လုပ်သည့်အစီအစဥ်ဖြစ်သည့် မြင့်မားသောတိကျပြတ်သားသောရာဇမတ်ကွက်များနှင့်ကိုက်ညီမှုကိုရရှိစေသည်။

4. အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

တံခါးခုံးလျှပ်စီးကြောင်းသည် အပူချိန်ဖြင့် အဆတိုးလာပြီး၊ လက္ခဏာရပ်အပူချိန် T₀ သည် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို ထင်ဟပ်စေသည်။ မြန်နှုန်းမြင့် မော်ဂျူသည် စွမ်းရည်နိမ့်ပြီး ခိုင်မာသော အညွှန်း-လမ်းညွှန်ဖွဲ့စည်းပုံများပေါ်တွင် မူတည်သည်။

5. လျှောက်လွှာတန်ဖိုး

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလေဆာများသည် သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့် မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ပါ၀င်ပြီး optical ဆက်သွယ်မှုအတွက် အဓိကအလင်းရင်းမြစ်၊ ပန့်ခ်ရင်းမြစ်များ၊ ပုံနှိပ်ခြင်းနှင့် အာရုံခံနိုင်မှုတို့အတွက် သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့် ultrafast mode-locked စနစ်များပေါင်းစပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်။