1392nm DFB Laser Diode TO-CAN

ထုတ်ကုန်ခြုံငုံသုံးသပ်ချက် -1392nm DFB Laser Diode TO-CAN

Box Optronics မှ 1392nm DFB Laser Diode TO-CAN (Model: BLD-D1392.5TO60-AL) တွင် 1392.5nm အလယ်ဗဟိုလှိုင်းအလျား (1391.5–1393.5nm) နှင့် 5mW optical output သည် aspheric မှန်ဘီလူးမှတဆင့် 7.5 mm. နေရာလွတ် optical coupling အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး၊ ဤ 1392nm DFB လေဆာဒိုင်အိုဒသည် ဓာတ်ငွေ့ဆဲလ်ချိတ်ဆက်မှု၊ ဓာတ်ငွေ့ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုနှင့် အလင်းအာရုံခံစနစ် ပေါင်းစပ်မှုအတွက် သင့်လျော်သည်။

ပေါင်းစပ် TEC နှင့် thermistor သည် လှိုင်းအလျားတည်ငြိမ်မှုအတွက် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ 6-pin configuration ပါရှိသော hermetic TO60 သတ္တုအထုပ်သည် ဓာတ်ငွေ့ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူများနှင့် စက်မှုဆိုင်ရာ အာရုံခံကိရိယာများအတွက် ကျစ်လစ်ပြီး ကြံ့ခိုင်သောပုံစံအချက်တစ်ချက်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ -1392nm DFB Laser Diode TO-CAN

· ဗဟိုလှိုင်းအလျား- 1392.5nm (အကွာအဝေး 1391.5–1393.5nm),+/-1nm လှိုင်းအလျား တိကျမှု

· မြင့်မားသောအလင်းအထွက်ပါဝါ- 5mW အနည်းဆုံး

· နိမ့်သောအဆင့် လက်ရှိ

· ပေါင်းစပ်အပူချိန်အအေးပေးစက် (TEC)၊အပူထိန်းကိရိယာ

· Aspheric မှန်ဘီလူးအထွက်နှင့်အတူ ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော TO60 hermetic ပက်ကေ့

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ-1392nm DFB လေဆာဒိုင်အိုုဒ် TO-CAN

· TDLAS ကို အသုံးပြု၍ ရေခိုးရေငွေ့ (H₂O) သိရှိခြင်း။

· နေရာလွတ်ဓာတ်ငွေ့ဆဲလ် spectroscopy

· 1392nm ဓာတ်ငွေ့ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူများအတွက် DFB လေဆာရင်းမြစ်များ

· စက်မှုလုပ်ငန်း လုပ်ငန်းစဉ် အစိုဓာတ်ကို စောင့်ကြည့်ခြင်း။

· အလင်းဓာတ်ငွေ့အာရုံခံခြင်းနှင့် spectroscopy တူရိယာများ

· Photonics သုတေသနနှင့် OEM ဓာတ်ငွေ့ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုစနစ်များ

ကုန်ပစ္စည်းသတ်မှတ်ချက်များ -1392nm DFB Laser Diode TO-CAN

အကြွင်းမဲ့ အများဆုံး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ

Electro-Optical Characteristics (T = 25°C)

TEC လက္ခဏာများ

Package နှင့် Pin အဓိပ္ပါယ်

မှာယူခြင်း အချက်အလက် -1392nm DFB Laser Diode TO-CAN

မော်ဒယ်အမည်စာရင်း

BLD - D XXXX မှ XX - X

ဥပမာ- BLD-D1392.5TO60-AL

ဒေတာစာရွက် -1392nm DFB Laser Diode TO-CAN

အချက်အလက်စာရွက်

အမေးများသောမေးခွန်းများ (FAQ)

မေး- 1392nm DFB လေဆာဖြင့် မည်သည့်ဓာတ်ငွေ့ကို တွေ့ရှိနိုင်သနည်း။

A- 1392nm လှိုင်းအလျားကို ရေခိုးရေငွေ့ (H₂O) စုပ်ယူမှု spectroscopy အတွက် အသုံးများပြီး TDLAS အခြေခံ အစိုဓာတ်နှင့် ရေခိုးရေငွေ့ သိရှိခြင်းအတွက် အသုံးချနိုင်သည်။ သီးခြားစုပ်ယူမှုမျဉ်းနှင့် လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို ဓာတ်ငွေ့အာရုံစူးစိုက်မှု၊ အလင်းလမ်းကြောင်းအရှည်နှင့် စနစ်ဒီဇိုင်းတို့အပေါ် အခြေခံ၍ အကဲဖြတ်သင့်သည်။ Box Optronics သည် မတူညီသောဓာတ်ငွေ့အာရုံခံမှုလိုအပ်ချက်များအတွက် DFB လေဆာဒိုင်အိုဒိတ်များကို ပေးဆောင်ပါသည်။

မေး- ဤ TO60 DFB လေဆာနှင့် လိပ်ပြာထုပ်ပိုးထားသော DFB လေဆာအကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။

A- အဓိကကွာခြားချက်များမှာ package format၊ optical interface နှင့် cost တို့ဖြစ်သည်။

TO60 ဗားရှင်းတွင် နေရာလွတ် optical coupling အတွက် ပေါင်းစပ် TEC၊ သာမိုစတာနှင့် aspheric မှန်ဘီလူးများဖြင့် ကျစ်လစ်သော hermetic metal-can package ပါရှိသည်။

Butterfly DFB လေဆာများကို ပုံမှန်အားဖြင့် ဖိုက်ဘာကျစ်ကျစ်ပါသော အထွက်ဖြင့် ရရှိနိုင်ပြီး ဖွဲ့စည်းမှုအပေါ်မူတည်၍ optical isolator နှင့် monitor photodiode ကဲ့သို့သော အပိုလုပ်ဆောင်ချက်များကို ပေါင်းစပ်နိုင်ပါသည်။

၎င်း၏ ရိုးရှင်းသော ပက်ကေ့ချ်နှင့် နေရာလွတ် အလင်းအထွက်အထွက်နှင့်အတူ၊ TO60 ဗားရှင်းသည် ဖိုက်ဘာအချိတ်အဆက်နှင့် အပိုပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်ချက်များ မလိုအပ်သည့် အခြားအပလီကေးရှင်းများအတွက် ဓာတ်ငွေ့အာရုံခံခြင်းနှင့် အခြားအပလီကေးရှင်းများအတွက် စရိတ်စကသက်သာသော ရွေးချယ်မှုကို ပေးပါသည်။ ရွေးချယ်မှုသည် လိုအပ်သော optical coupling နည်းလမ်း၊ ပက်ကေ့ချ်အရွယ်အစားနှင့် စနစ်တည်ဆောက်ပုံအပေါ် မူတည်သည်။

မေး- ပေါင်းစပ် TEC သည် ဓာတ်ငွေ့ရှာဖွေခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မည်သို့တိုးတက်စေသနည်း။

A- ပေါင်းစပ် TEC နှင့် 10kΩ သာမိုစတာသည် DFB လေဆာအတွက် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုကို ပေးစွမ်းပြီး တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို ထိန်းသိမ်းကာ အပူချိန်ကွဲပြားမှုများကြောင့် လှိုင်းအလျားပျံ့လွင့်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။ လေဆာလှိုင်းအလျားသည် ပစ်မှတ်စုပ်ယူမှုအင်္ဂါရပ်နှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိနေရမည်ဖြစ်သောကြောင့် TDLAS စနစ်များတွင် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုသည် အရေးကြီးပါသည်။ TEC သတ်မှတ်ချက်များကို လေဆာလည်ပတ်မှုအပူချိန်အကွာအဝေးနှင့် ပြီးပြည့်စုံသော ဓာတ်ငွေ့အာရုံခံစနစ်၏ လိုအပ်ချက်များနှင့်အတူ ထည့်သွင်းစဉ်းစားသင့်သည်။

ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ

· 1392nm 10mW DFB Butterfly Laser Diode

· 760nm 10mW DFB Butterfly Laser Diode

· 1512nm 10mW DFB 14-PIN လိပ်ပြာလေဆာ

· CO2 အာရုံခံမှုအတွက် 1574nm DFB Laser Diode

· 1mm Active Area InGaAs PIN photodiode

လုပ်ဆောင်ချက်မှတ်စုများနှင့် ကိုင်တွယ်ခြင်း။

· Laser diodes များသည် electrostatic discharge (ESD) အထိမခံနိုင်သော ကိရိယာများဖြစ်သည်။ ကိုင်တွယ်စဉ်အတွင်း သင့်လျော်သော ESD အကာအကွယ်လုပ်ထုံးလုပ်နည်းများကို အမြဲလိုက်နာသင့်သည်။

· လျှပ်ကူးပစ္စည်းပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ရန် မော်ဂျူးများကို သာမန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကဲ့သို့ ကိုင်တွယ်လုပ်ဆောင်သင့်သည်။ လုံခြုံစွာသိမ်းဆည်းခြင်းနှင့်သယ်ဆောင်ခြင်းအတွက်၊ မော်ဂျူးများကို ESD-အထောက်အထားပစ္စည်းဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသင့်သည်။

· PCB၊ workbench၊ ဂဟေသံနှင့် လူ့ကိုယ်ထည်တွင် မော်ဂျူးများကို စုစည်းရန် မြေပြင်ဖြစ်သင့်သည်။

· ESD-ဘေးကင်းသောထုပ်ပိုးမှုတွင် အကြံပြုထားသောသိုလှောင်မှုအပူချိန် (-40°C မှ +85°C) တွင် အသုံးမပြုသောစက်ပစ္စည်းများကို သိမ်းဆည်းပါ။

· 100mA အမြင့်ဆုံးရှေ့ဆက်လက်ရှိနှင့် 2V အမြင့်ဆုံးရှေ့ဆက်ဗို့အားအပါအဝင် ဒေတာစာရွက်တွင် သတ်မှတ်ထားသည့် ပကတိအမြင့်ဆုံးအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ထက် မကျော်လွန်ပါစေနှင့်။

· လက်ရှိကန့်သတ်ချက်နှင့် ဗို့အားလွန်ခြင်းကို ကာကွယ်သည့် လေဆာဒိုင်အိုဒရိုက်ကို အမြဲအသုံးပြုပါ။

· အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် လှိုင်းအလျားတည်ငြိမ်မှုအတွက် လေဆာဒရိုက်လက်ရှိကို အသုံးမပြုမီ TEC အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို ဖွင့်ပါ။

· ညစ်ညမ်းမှုကို တားဆီးရန်အတွက် aspheric မှန်ဘီလူးမျက်နှာပြင်ကို လက်ဗလာဖြင့် ထိတွေ့ခြင်းမှ ရှောင်ကြဉ်ပါ။ သန့်ရှင်းရေးလိုအပ်ပါက isopropyl alcohol (IPA) နှင့် ပျဉ်းမကပ်သော swab ကို အသုံးပြုပါ။

·  Solder reflow အပူချိန်- အမြင့်ဆုံး 260°C 10 စက္ကန့်။ ဂဟေအချိန် သို့မဟုတ် အပူချိန် အလွန်အကျွံ ရှောင်ပါ။

လွယ်ကူသောအနာဂတ်ကိုးကားရန်အတွက် ဤစာမျက်နှာကို အမှတ်အသားပြုပါ။